SK海力士鞏固市場主導權，開發業界第一款HBM3 DRAM
韓國首爾2021年10月20日 ／美通社／ －－ SK海力士宣布業界首次成功開發現有最佳規格的HBM3 DRAM。
HBM3是第四代HBM（High Bandwidth Memory）技術＊，由多個垂直連接的DRAM芯片組合而成，是一種高價值產品，創新性地提高了數據處理速度。
＊HBM版本名稱：HBM（第一代） － HBM2（第二代） － HBM2E（第三代） |
SK海力士去年7月在業界首次開始批量生產HBM2E＊ DRAM后，時隔僅1年零3個月開發了HBM3，鞏固了該市場的主導權。
＊HBM2E ：從第二代HBM2中改進部分性能的擴展（Extended）版本 |
SK海力士強調，“通過此次HBM3，不僅實現了目前為止的HBM DRAM中最高的速度和最大容量，還大幅提高了質量水平。”
SK海力士研發的HBM3能夠每秒處理819GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸 163部全高清（Full－HD）電影（每部5GB）。與上一代HBM2E相比，速度提高了約78％。
與此同時，該產品還內置了ECC校檢（On Die－Error Correction Code）。HBM3通過該內置型ECC校檢可以自身修復DRAM單元（cell）的數據的錯誤，因此產品的可靠性也大幅提高。
此次HBM3將以16GB和24GB兩種容量上市。特別是24GB是業界最大的容量。為了實現24GB，SK海力士技術團隊將單品DRAM芯片的高度磨削到約30微米（μm， 10－6m），相當于A4紙厚度的1／3，然后使用TSV技術垂直連接12個芯片。
＊TSV（Through Silicon Via，硅通孔技術）：在DRAM芯片打上數千個細微孔并通過垂直貫通的電極連接上下芯片的技術 |
HBM3將搭載高性能數據中心，有望適用于提高人工智能（AI）完成度的機器學習（Machine Learning）和分析氣候變化，新藥開發等的超級計算機。
負責SK海力士DRAM開發的車宣龍副社長表示，“該公司推出了全球首款HBM DRAM，引領了HBM2E市場，并在業界內首次成功開發了HBM3。公司將鞏固在高端存儲器市場的領導力，同時提供符合ESG經營的產品，盡最大努力提高客戶價值。”
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