中國將試產7nm工藝，縮短與臺積電差距
據悉中國最大的芯片代工廠中芯國際預計將在4月份試產7nm工藝,這意味著中芯國際即使缺乏EUV光刻機也嘗試量產7nm工藝,這對于中國芯片制造業有重要的意義。
由于眾所周知的原因,中國芯片制造企業目前難以獲得EUV光刻機,這對于5nm及更先進工藝來說非常關鍵,而采用DUV光刻機則雖然也可以量產7nm工藝,但是這已是DUV光刻機的極限。
此前臺積電就是采用DUV光刻機投產了7nm工藝,此后時隔一年時間才采用EUV光刻機投產7nmEUV工藝。據分析指出,7nmEUV工藝較7nm工藝提升了20%的晶體管密度,同時降低了6%-12%的功耗可以說是巨大的進步。
7nmEUV工藝能取得如此巨大的進步與EUV光刻機的技術升級分不開,EUV是極紫外線的簡稱,DUV則是深紫外線的簡稱,DUV的波長為193nm,而EUV的波長則為十幾nm,利用波長更短的EUV光刻機可以降低生產成本并且提升芯片的性能。
中芯國際采用DUV光刻機開發出接近7nm工藝的技術可以說是一個巨大的進步,這意味著中芯國際正迅速縮短與臺積電的技術差距,同時也將取得對聯電和格芯的技術領先優勢,聯電和格芯已確定放棄7nm及更先進的工藝。
中芯國際如果順利量產7nm工藝可望有助于增強中國芯片產業鏈的實力,目前中國大陸投產的最先進工藝分別是臺積電南京工廠的16nmFinFET和中芯國際的14nmFinFET,如果中芯國際擁有先進的7nm工藝,中國大陸的本土芯片企業可以就近流片,節省流片時間和成本,加快芯片研發進程。
同時中芯國際研發出7nm工藝,將有助于它為更先進的工藝積累技術,一旦獲得EUV光刻機就可以迅速展開5nm工藝的研發。
當下全球的芯片制造產能均出現緊張局面導致價格上漲,由于目前僅有臺積電和三星擁有7nm及更先進工藝導致這些工藝的價格上漲幅度更大,如果中芯國際能投產7nm工藝將有助于它獲得更多利潤,去年下半年由于14nmFinFET工藝的拉動它就取得了凈利潤倍增,可見先進工藝的利潤非常豐厚,有了更多的利潤也有助于中芯國際投資研發更先進工藝,這是一種良性循環。
面臨如此困難情況下,中芯國際依然奮力前行,體現了中國芯片制造企業的艱苦奮斗決心。芯片制造產業鏈也在努力向前,上海中星微電子也在努力開發自主研發的光刻機,相信在中國各方的努力下,中國芯片制造業終究有一天能實現完全自主研發。
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