日前消息指上海一家芯片制造企業已實現14納米工藝量產，這是國內第二家芯片制造企業量產14納米工藝，代表著國產芯片又多了一個新選擇，為國產芯片的發展提供重要支持。

上海這家芯片制造企業數年前就已實現28納米工藝量產，之后一直在推進14納米工藝的研發，直到今年5月份傳出消息指它的14納米工藝良率已提升至25%，數個月過去真正實現14納米工藝量產屬于情理之中。

14納米工藝無需先進的EUV光刻機，只要現有ASML可以對外出售的DUV光刻機就能實現，甚至該芯片制造企業已用于28納米工藝生產的DUV光刻機采用多重曝光技術也能實現14納米工藝，因此這家芯片制造企業可以在當下美國限制先進光刻機對中國芯片制造企業供應情況下也能實現14納米工藝量產。

據悉為了加快14納米工藝的量產，這家位于上海的芯片制造企業大舉從中國臺灣挖來關鍵技術人才，中國臺灣的兩大芯片代工企業早已實現14納米工藝量產，臺積電如今已推進至3納米，聯電也早在多年前就實現14納米工藝量產，中國臺灣的大量人才可以為它所用，加快了14納米工藝研發的進程。

14納米工藝比當前國內大量生產的28納米工藝先進兩代，可以滿足更多國內芯片設計企業的需求，畢竟國內諸多芯片行業如今還在大量采用28納米及以上工藝生產芯片，14納米的推出將可以更好滿足國內芯片設計企業的需求。

14納米工藝是一個重要節點，它引入了FinFET技術，比28納米工藝大幅提升了性能，對于汽車芯片等芯片可以提供更強的性能，目前仍然有較多國產汽車企業采用的驍龍820A就是一款采用14/16納米工藝的芯片，將有助于國產汽車芯片進一步搶奪美國芯片的市場。

FinFET技術非常重要，這項技術可以演進至3納米，臺積電的第一代7納米工藝就采用了DUV光刻機以多重曝光技術實現，因此國產芯片制造企業實現14納米工藝也就意味著它們推進至7納米工藝邁出了重要一步。

這幾年國產芯片在美國的壓力下爆發了巨大的潛力，芯片制造企業正是在美國的壓力下加快研發了比14納米工藝更先進的12納米、相當于7納米的N+1工藝等等，相信在它們實現14納米工藝量產后，7納米工藝的研發進程將大幅加快。

國內兩家芯片制造企業實現14納米工藝量產，也提升了國產芯片制造的可靠性，畢竟有了兩家國產芯片制造企業14納米，國內的14納米工藝產能將倍增，國產芯片設計企業也有了更多選擇，芯片生產供應也更有保障。

國產芯片在如此環境下加快創新，凸顯出國產芯片不畏艱險的精神，即使難以獲得更先進的光刻機，國產芯片也給予現有光刻機加快了芯片制造工藝的升級，相信國產芯片制造企業的技術必然會越來越先進，幫助國產芯片從芯片設計到制造都實現自主研發，這是美國沒有想到的結果。

       原文標題 : 中國又一家芯片制造企業量產14納米，國產芯片制造加速推進