MRAM
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。 M查看詳情>RAM主體結構由三層結構的MTJ（magnetic tunnel junction）構成：自由層（free layer），固定層（fixed layer）和氧化層（Tunneling oxide）。自由層與固定層的材料分別是CoFeB和MgO。STT-MTJ利用自由層和固定層磁矩方向來存儲信息，平行狀態（parallel），電阻為低阻；非平行狀態（anti-parallel），電阻為高阻。存儲器讀取電路是通過加載相同的電壓判斷輸出電流的大小從而判斷存儲器的信息。
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PCM和MRAM將在獨立存儲器中處于領先
前言:實現硬件方面的復興,才能充分挖掘人工智能時代的潛力。在性能、功耗和密度(面積/成本)方面得到顯著改善的新興存儲可以滿足邊緣計算、近邊緣和云計算的需求。
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