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產(chǎn)業(yè)丨熱度高過(guò)HBM，量產(chǎn)在即的SOCAMM2競(jìng)爭(zhēng)勢(shì)態(tài)白熱化

前言：過(guò)去三年，HBM始終是半導(dǎo)體行業(yè)的絕對(duì)頂流，但進(jìn)入2026年，SOCAMM2正在以遠(yuǎn)超行業(yè)預(yù)期的速度升溫，熱度甚至蓋過(guò)了處于產(chǎn)能爬坡期的HBM4。 SOCAMM2成為AI存儲(chǔ)的補(bǔ)位者 SOCA

AI SOCAMM2 存儲(chǔ) 2026-04-17

趨勢(shì)丨HBM升級(jí)=HBF？高帶寬閃存如何破解AI算力的“內(nèi)存墻”

前言：當(dāng)AI大模型的參數(shù)規(guī)模邁向萬(wàn)億級(jí)，上下文窗口突破百萬(wàn)token，HBM（高帶寬內(nèi)存）雖快，但容量有限且成本高昂；NAND閃存雖大，但帶寬不足。在這個(gè)算力與存儲(chǔ)的斷層之間，一種名為HBF（高帶寬閃

AI 內(nèi)存 HBM HBF 2026-02-28

大模型日?qǐng)?bào)| 字節(jié)跳動(dòng)對(duì)多模態(tài)又有了新創(chuàng)意，HBM刻蝕需求爆發(fā)

01 重大發(fā)布（新模型/產(chǎn)品/開(kāi)源） ①阿里千問(wèn)開(kāi)源持續(xù)進(jìn)行中：Embedding與Reranker系列登場(chǎng) 阿里通義千問(wèn)團(tuán)隊(duì)于1月8日再度開(kāi)源兩款名為模型Qwen3-VL-Embedding和Qwe

字節(jié)跳動(dòng)多模態(tài) 2026-01-09

HBF、HMC等四大存儲(chǔ)，誰(shuí)能力敵HBM

HBM（高帶寬內(nèi)存）作為當(dāng)前AI加速器GPU的核心配置，憑借垂直堆疊的薄DRAM芯片結(jié)構(gòu)，以超高數(shù)據(jù)帶寬為AI訓(xùn)練與推理提供了關(guān)鍵支撐，成為AI算力爆發(fā)的重要基石。然而，HBM存在兩大顯著短板：一是

存儲(chǔ) 2026-01-05

華為公布昇騰芯片三年計(jì)劃，自研HBM曝光

華為今天宣布，以后 AI 訓(xùn)練最缺的 “內(nèi)存” 它自己造，三年出四款新芯片，年年升級(jí)，2028 年給出最大驚喜。 9 月 18 日，上海全聯(lián)接大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，華為輪值董事長(zhǎng)徐直軍首次透露 “華為昇騰芯片”

華為 2025-09-19

在算力需求指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的今天，存儲(chǔ)技術(shù)正經(jīng)歷著從"被動(dòng)容器"到"主動(dòng)參與者"的范式轉(zhuǎn)變。SOCAMM的誕生，標(biāo)志著內(nèi)存模塊首次實(shí)現(xiàn)了對(duì)計(jì)算需求的動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力。其同步架構(gòu)通過(guò)統(tǒng)一時(shí)鐘信號(hào)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸?shù)?/p>

半導(dǎo)體英偉達(dá)HBM 2025-05-26

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HBM

產(chǎn)業(yè)丨熱度高過(guò)HBM，量產(chǎn)在即的SOCAMM2競(jìng)爭(zhēng)勢(shì)態(tài)白熱化

趨勢(shì)丨HBM升級(jí)=HBF？高帶寬閃存如何破解AI算力的“內(nèi)存墻”

大模型日?qǐng)?bào)| 字節(jié)跳動(dòng)對(duì)多模態(tài)又有了新創(chuàng)意，HBM刻蝕需求爆發(fā)

HBF、HMC等四大存儲(chǔ)，誰(shuí)能力敵HBM

華為公布昇騰芯片三年計(jì)劃，自研HBM曝光

新AI內(nèi)存：英偉達(dá)押注，比肩HBM

美光：“過(guò)熱”的HBM，會(huì)從缺貨走向過(guò)剩嗎？

AI存儲(chǔ)：HBM抓著英偉達(dá)的命門

三星將推出人工智能處理能力的高帶寬存儲(chǔ)器HBM－PIM